Излагаются основные сведения о физических и химических несовершенствах (дислокациях, вакансиях, термических напряжениях, примесных атомах) в наиболее распространенных полупроводниковых материалах (кремнии и германии). Рассматриваются их структура, условия возникновения, поведение при кристаллизации, деформации и термической обработке. Показано влияние несовершенств как электрически активных центров на основные полупроводниковые свойства. Книга написана на современном уровне. Достоинство ее – простота и ясность изложения. Предназначается для научных работников и инженеров работающих в области металлургии, физики, химии полупроводников. Может быть полезна студентам специальностей "Технология материалов электронной техники", "Полупроводники и диэлектрики", "Полупроводниковые приборы". Это и многое другое вы найдете в книге Несовершенства и активные центры в полупроводниках (Р. Г. Родес)