В монографии впервые дано систематическое изложение современного состояния исследований модифицирования полупроводников пучками протонов. Выполнен анализ общих феноменологических закономерностей взаимодействия легких ионов с монокристаллическими полупроводниками. Проведено концептуальное обобщение результатов фундаментальных исследований, полученных в течение последнего времени по таким основным направлениям радиационного модифицирования полупроводников пучками протонов, как трансмутационное ядерное легирование, радиационно-стимулированная диффузия, легирование радиационными дефектами и формирование наноразмерных пористых слоев.

Книга предназначена для научных работников в области физики взаимодействия излучения с веществом и радиационной физики твердого тела, а также для практиков в области электронного материаловедения и технологии полупроводниковых приборов. Это и многое другое вы найдете в книге Модифицирование полупроводников пучками протонов (В. В. Козловский)